NDP04N60Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NDP04N60Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 95 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 19 nC
Tiempo de subida (tr): 9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 62 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
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NDP04N60Z Datasheet (PDF)
ndf04n60z ndp04n60z ndd04n60z.pdf
NDF04N60Z, NDP04N60Z,NDD04N60ZN-Channel Power MOSFET1.8 W, 600 VoltsFeatureshttp://onsemi.com Low ON Resistance Low Gate Charge 100% Avalanche TestedVDSS RDS(ON) (TYP) @ 2 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant600 V1.8 Applications Adapter (Notebook, Printer, Gaming) LCD Panel Power Lighting Ballasts4ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
ndf04n60z ndp04n60z ndd04n60z.pdf
NDF04N60Z, NDP04N60Z,NDD04N60ZN-Channel Power MOSFET600 V, 2.0 WFeatureshttp://onsemi.com Low ON Resistance Low Gate Charge ESD Diode-Protected GateVDSS RDS(on) (MAX) @ 2 A 100% Avalanche Tested600 V2.0 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantN-ChannelABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)D (
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