NDP04N60Z Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NDP04N60Z  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 95 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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NDP04N60Z datasheet

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NDP04N60Z

NDF04N60Z, NDP04N60Z, NDD04N60Z N-Channel Power MOSFET 1.8 W, 600 Volts Features http //onsemi.com Low ON Resistance Low Gate Charge 100% Avalanche Tested VDSS RDS(ON) (TYP) @ 2 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 600 V 1.8 Applications Adapter (Notebook, Printer, Gaming) LCD Panel Power Lighting Ballasts 4 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 ..2. Size:130K  onsemi
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NDP04N60Z

NDF04N60Z, NDP04N60Z, NDD04N60Z N-Channel Power MOSFET 600 V, 2.0 W Features http //onsemi.com Low ON Resistance Low Gate Charge ESD Diode-Protected Gate VDSS RDS(on) (MAX) @ 2 A 100% Avalanche Tested 600 V 2.0 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant N-Channel ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise noted) D (

Otros transistores... CMB100N04, CMI100N04, HY4306W, HY4306A, MDF1723, ME4410AD, ME4970, ME4970G, TK10A60D, PDEC3907Z, PFB2N60, PFF2N60, SI4947ADY, STD180N4F6, SUP65P06-20, SUB65P06-20, SVD3205T