NDP04N60Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NDP04N60Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 95 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NDP04N60Z

NDP04N60Z Datasheet (PDF)

..1. Size:148K 1
ndf04n60z ndp04n60z ndd04n60z.pdf

NDF04N60Z, NDP04N60Z,NDD04N60ZN-Channel Power MOSFET1.8 W, 600 VoltsFeatureshttp://onsemi.com Low ON Resistance Low Gate Charge 100% Avalanche TestedVDSS RDS(ON) (TYP) @ 2 A These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant600 V1.8 Applications Adapter (Notebook, Printer, Gaming) LCD Panel Power Lighting Ballasts4ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

..2. Size:130K onsemi
ndf04n60z ndp04n60z ndd04n60z.pdf

NDF04N60Z, NDP04N60Z,NDD04N60ZN-Channel Power MOSFET600 V, 2.0 WFeatureshttp://onsemi.com Low ON Resistance Low Gate Charge ESD Diode-Protected GateVDSS RDS(on) (MAX) @ 2 A 100% Avalanche Tested600 V2.0 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantN-ChannelABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)D (

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Liste

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