SVD3205T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVD3205T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 101 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 781 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Encapsulados: TO-220
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SVD3205T datasheet
svd3205t.pdf
SVD3205T_Datasheet 110A, 55V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVD3205T is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary S-RinTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching per
svd3205t svd3205f svd3205s.pdf
SVD3205T/F/S 110A 55V N 2 SVD3205T/F/S N MOS VDMOS 1 1 3 3 T
Otros transistores... NDP04N60Z , PDEC3907Z , PFB2N60 , PFF2N60 , SI4947ADY , STD180N4F6 , SUP65P06-20 , SUB65P06-20 , 5N60 , SVF12N65F , SVF12N65T , TSP50N06M , TSF50N06M , AOT2144L , AOTF12N65L , AOTF2144L , AOTF25S65L .
History: BSC079N03S | 2SK1172 | NDT4N70 | NTD4965N | 2SK4070I | S10H18R | WMM28N60F2
History: BSC079N03S | 2SK1172 | NDT4N70 | NTD4965N | 2SK4070I | S10H18R | WMM28N60F2
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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