SVD3205T Todos los transistores

 

SVD3205T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVD3205T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 101 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 781 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO-220

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SVD3205T datasheet

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SVD3205T

SVD3205T_Datasheet 110A, 55V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVD3205T is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary S-RinTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching per

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SVD3205T

SVD3205T/F/S 110A 55V N 2 SVD3205T/F/S N MOS VDMOS 1 1 3 3 T

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SVD3205T

Otros transistores... NDP04N60Z , PDEC3907Z , PFB2N60 , PFF2N60 , SI4947ADY , STD180N4F6 , SUP65P06-20 , SUB65P06-20 , 5N60 , SVF12N65F , SVF12N65T , TSP50N06M , TSF50N06M , AOT2144L , AOTF12N65L , AOTF2144L , AOTF25S65L .

History: BSC079N03S | 2SK1172 | NDT4N70 | NTD4965N | 2SK4070I | S10H18R | WMM28N60F2

 

 

 

 

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