SVF12N65T Todos los transistores

 

SVF12N65T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF12N65T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 225 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 61.67 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO-220

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SVF12N65T datasheet

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SVF12N65T

SVF12N65T/F_Datasheet 12A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF12N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch

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SVF12N65T

SVF12N65T/F 12A 650V N 2 SVF12N65T/F N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

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SVF12N65T

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SVF12N65T

SVF12N65CF/K/S/KL/FQ 12A 650V N SVF12N65CF/K/S/KL/FQ N MOS F-CellTM VDMOS A

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History: LPM2301B3F | JCS4N60CB | SM4804DSK | SM2323PSA | SM7340EHKP | 2SK3496-01MR

 

 

 

 

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