SVF12N65T - описание и поиск аналогов

 

SVF12N65T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF12N65T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 225 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 61.67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для SVF12N65T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF12N65T даташит

 ..1. Size:586K  1
 svf12n65f svf12n65t.pdf pdf_icon

SVF12N65T

SVF12N65T/F_Datasheet 12A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF12N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch

 ..2. Size:444K  silan
 svf12n65t svf12n65f.pdf pdf_icon

SVF12N65T

SVF12N65T/F 12A 650V N 2 SVF12N65T/F N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 6.1. Size:394K  silan
 svf12n65f svf12n65k svf12n65s svf12n65str.pdf pdf_icon

SVF12N65T

 6.2. Size:489K  silan
 svf12n65cf svf12n65ck svf12n65cs svf12n65ckl svf12n65cfq.pdf pdf_icon

SVF12N65T

SVF12N65CF/K/S/KL/FQ 12A 650V N SVF12N65CF/K/S/KL/FQ N MOS F-CellTM VDMOS A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PFB2N60 , PFF2N60 , SI4947ADY , STD180N4F6 , SUP65P06-20 , SUB65P06-20 , SVD3205T , SVF12N65F , SI2302 , TSP50N06M , TSF50N06M , AOT2144L , AOTF12N65L , AOTF2144L , AOTF25S65L , BUZ31H3046 , DMG3N60SCT .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.