TSP50N06M Todos los transistores

 

TSP50N06M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSP50N06M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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TSP50N06M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:828K  1
 tsp50n06m tsf50n06m.pdf pdf_icon

TSP50N06M

TSP50N06M / TSF50N06M60V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 50A, 60V, RDS(on) = 0.023 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 33nC)This advanced technology has been especially tailored to Fast switchingminimize on-state resistance, provide superior switching 100% avala

Otros transistores... PFF2N60 , SI4947ADY , STD180N4F6 , SUP65P06-20 , SUB65P06-20 , SVD3205T , SVF12N65F , SVF12N65T , 7N60 , TSF50N06M , AOT2144L , AOTF12N65L , AOTF2144L , AOTF25S65L , BUZ31H3046 , DMG3N60SCT , DMN95H8D5HCT .

History: P2003BDG

 

 
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