TSP50N06M - описание и поиск аналогов

 

TSP50N06M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSP50N06M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для TSP50N06M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSP50N06M даташит

 ..1. Size:828K  1
 tsp50n06m tsf50n06m.pdf pdf_icon

TSP50N06M

TSP50N06M / TSF50N06M 60V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 50A, 60V, RDS(on) = 0.023 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 33nC) This advanced technology has been especially tailored to Fast switching minimize on-state resistance, provide superior switching 100% avala

Другие MOSFET... PFF2N60 , SI4947ADY , STD180N4F6 , SUP65P06-20 , SUB65P06-20 , SVD3205T , SVF12N65F , SVF12N65T , AO3407 , TSF50N06M , AOT2144L , AOTF12N65L , AOTF2144L , AOTF25S65L , BUZ31H3046 , DMG3N60SCT , DMN95H8D5HCT .

History: 2SJ216

 

 

 

 

↑ Back to Top
.