FQD50P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQD50P06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 113 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQD50P06

FQD50P06 Datasheet (PDF)

..1. Size:253K inchange semiconductor
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isc P-Channel MOSFET Transistor FQD50P06FEATURESDrain Current I = -50A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = -60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 28m(Max)@V = -10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for high current switching applications.A

9.1. Size:860K cn vbsemi
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FQD50N06www.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 50 Material categorization:600.013 at VGS = 4.5 V 45DTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit U

9.2. Size:249K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor FQD50N06FEATURESDrain Source Voltage-: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 22m(Max)DS(on)Fast Switching100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh current , high speed switchingSwitch mode power suppliesDC-DC converters

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: