IPI180N10N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPI180N10N3
   Código: 180N10N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 71 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 43 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 19 nC
   Tiempo de subida (tr): 12 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 237 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262

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IPI180N10N3 Datasheet (PDF)

..1. Size:261K inchange semiconductor
ipi180n10n3.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPI180N10N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 18mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

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ipp180n10n3g ipi180n10n3g.pdf

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IPP180N10N3 GIPI180N10N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 18mDS(on),max TO-263 Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 43 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target applicatio

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Liste

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