IPI180N10N3 Todos los transistores

 

IPI180N10N3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPI180N10N3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 237 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: TO-262

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IPI180N10N3 datasheet

 ..1. Size:261K  inchange semiconductor
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IPI180N10N3

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPI180N10N3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 18m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 0.1. Size:559K  infineon
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IPI180N10N3

## ! ! # ! ! TM # A0

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IPI180N10N3

IPP180N10N3 G IPI180N10N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS N-channel, normal level R 18 m DS(on),max TO-263 Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 43 A D Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target applicatio

Otros transistores... IPI075N15N3 , IPI076N12N3 , IPI076N15N5 , IPI086N10N3 , IPI100N08N3 , IPI110N20N3 , IPI111N15N3 , IPI147N12N3 , IRF3710 , IPI200N15N3 , IPI200N25N3 , IPI26CN10N , IPI320N20N3 , IPI35CN10N , IPI530N15N3 , IPI600N25N3 , IPI80CN10N .

History: 2SK1936 | FDS8878 | VSO025C03MC | KHB3D0N90F2 | SL90N20P | SWP7N65K | MTP2N40E

 

 

 

 

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