IPI80CN10N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPI80CN10N
Código: 80CN10N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 31 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 13 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 8 nC
Tiempo de elevación (tr): 4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 76 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.08 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-262
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IPI80CN10N Datasheet (PDF)
1.1. ipb79cn10n-g ipd78cn10n-g ipi80cn10n-g ipp80cn10n-g.pdf 
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IPB79CN10N G IPD78CN10N G IPI80CN10N G IPP80CN10N G OptiMOS™2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS • N-channel, normal level R 78 mΩ DS(on),max (TO252) • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 13 A D • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC
1.2. ipb80cn10n ipd78cn10n ipi80cn10n ipp80cn10n ipu78cn10n.pdf Size:705K _infineon
IPB80CN10N G IPD78CN10N G IPI80CN10N G IPP80CN10N G IPU78CN10N G OptiMOS®2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS • N-channel, normal level R 78 mΩ DS(on),max (TO252) • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 13 A D • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified accordi
1.3. ipi80cn10n.pdf Size:261K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPI80CN10N ·FEATURES ·Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤0.08Ω ·Enhancement mode ·Fast Switching Speed ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·DESCRITION ·reliable device for use in a wide variety of applications ·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
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