IRFL3713S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFL3713S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 330 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 260 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.003 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFL3713S
IRFL3713S Datasheet (PDF)
1.1. irfl3713s.pdf 
Size:255K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFL3713S ·FEATURES ·Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤3.0mΩ ·Enhancement mode ·Fast Switching Speed ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·APPLICATIONS ·reliable device for use in a wide variety of applications ·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL PAR
2.1. irfl3713.pdf Size:245K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFL3713,IIRFL3713 ·FEATURES ·Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤3.0mΩ ·Enhancement mode ·Fast Switching Speed ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·APPLICATIONS ·reliable device for use in a wide variety of applications ·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a S
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