IRFL3713S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFL3713S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 330 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 260 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFL3713S

IRFL3713S Datasheet (PDF)

..1. Size:255K inchange semiconductor
irfl3713s.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFL3713SFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 3.0mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PAR

6.1. Size:245K inchange semiconductor
irfl3713.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFL3713,IIRFL3713FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 3.0mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aS

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Liste

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