IRFL3713S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFL3713S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 330 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 260 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: TO-263

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IRFL3713S datasheet

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IRFL3713S

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFL3713S FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 3.0m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PAR

 6.1. Size:245K  inchange semiconductor
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IRFL3713S

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFL3713,IIRFL3713 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 3.0m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a S

Otros transistores... IPI200N15N3, IPI200N25N3, IPI26CN10N, IPI320N20N3, IPI35CN10N, IPI530N15N3, IPI600N25N3, IPI80CN10N, IRFP250N, IRFP3207Z, IRFP4905, IRFSL4510, IRFSL7762, IRFSL7787, IRFU430A, 12N65KL-TA, 12N65KL-TQ