IRFL3713S Todos los transistores

 

IRFL3713S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFL3713S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 330 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 260 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.003 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-263

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IRFL3713S Datasheet (PDF)

1.1. irfl3713s.pdf Size:255K _inchange_semiconductor

IRFL3713S
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isc N-Channel MOSFET Transistor IRFL3713S ·FEATURES ·Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤3.0mΩ ·Enhancement mode ·Fast Switching Speed ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·APPLICATIONS ·reliable device for use in a wide variety of applications ·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL PAR

2.1. irfl3713.pdf Size:245K _inchange_semiconductor

IRFL3713S
IRFL3713S

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFL3713,IIRFL3713 ·FEATURES ·Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤3.0mΩ ·Enhancement mode ·Fast Switching Speed ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·APPLICATIONS ·reliable device for use in a wide variety of applications ·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a S

 

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