IRFL3713S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFL3713S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 260 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRFL3713S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFL3713S даташит

 ..1. Size:255K  inchange semiconductor
 irfl3713s.pdf pdf_icon

IRFL3713S

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFL3713S FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 3.0m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PAR

 6.1. Size:245K  inchange semiconductor
 irfl3713.pdf pdf_icon

IRFL3713S

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFL3713,IIRFL3713 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 3.0m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a S

Другие IGBT... IPI200N15N3, IPI200N25N3, IPI26CN10N, IPI320N20N3, IPI35CN10N, IPI530N15N3, IPI600N25N3, IPI80CN10N, IRF630, IRFP3207Z, IRFP4905, IRFSL4510, IRFSL7762, IRFSL7787, IRFU430A, 12N65KL-TA, 12N65KL-TQ