IRFU430A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFU430A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 110 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V
Carga de compuerta (Qg): 24(max) nC
Tiempo de elevación (tr): 27 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 750 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.7 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFU430A
IRFU430A Datasheet (PDF)
1.1. irfr430apbf irfu430apbf.pdf 
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PD -95076A SMPS MOSFET IRFR430APbF IRFU430APbF Applications HEXFET® Power MOSFET l Switch Mode Power Supply (SMPS) l Uninterruptible Power Supply VDSS RDS(on) max ID l High speed power switching 500V 1.7Ω 5.0A l Lead-Free Benefits l Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance
1.2. irfr430a irfr430apbf irfu430apbf sihfr430a sihfu430a.pdf Size:252K _vishay
IRFR430A, IRFU430A, SiHFR430A, SiHFU430A www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 500 Requirement RDS(on) ()VGS = 10 V 1.7 • Improved Gate, Avalanche and Dynamic Qg (Max.) (nC) 24 dV/dt Ruggedness Qgs (nC) 6.5 • Fully Characterized Capacitance and Qgd (nC) 13 Avalanche Voltage and Current
1.3. irfr430a irfu430a sihfr430a sihfu430a.pdf Size:154K _vishay
IRFR430A, IRFU430A, SiHFR430A, SiHFU430A Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 500 Available Requirement RDS(on) (Ω)VGS = 10 V 1.7 RoHS* • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Qg (Max.) (nC) 24 COMPLIANT Ruggedness Qgs (nC) 6.5 Qgd (nC) 13 • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
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