HY3306B Todos los transistores

 

HY3306B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY3306B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 621 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

HY3306B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4015K  1
 hy3306p hy3306b.pdf pdf_icon

HY3306B

HY3306P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/130ARDS(ON)= 5.4 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche tested Reliable and RuggedS Lead Free and Green Devices AvailableDG(RoHS Compliant)SDGTO-263-2LTO-263-2LTO-220FB-3LTO-220FB-3LApplicationsD Switching application Power Management for Inverter Systems.G N-Channel MOSFET

 ..2. Size:948K  hymexa
 hy3306p hy3306b.pdf pdf_icon

HY3306B

HY3306P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 60V/130A RDS(ON)= 5.4m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead- Free Devices Available (RoHS Compliant) Applications Portable equipment and battery powered systems Synchronous rectification N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: P06P03LDG | NCE65TF099F | HUFA76423S3ST

 

 
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