SVF5N60T Todos los transistores

 

SVF5N60T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF5N60T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62.7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SVF5N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:528K  1
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SVF5N60T

SVF5N60T/F/D/MJ_Datasheet 5A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF5N60T/F/D/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior

 ..2. Size:479K  silan
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SVF5N60T

SVF5N60T/F/D/MJ 5A600V N 2SVF5N60T/F/D/MJ NMOSF-CellTMVDMOS 1 TO-252-2L3

 7.1. Size:563K  silan
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SVF5N60T

SVF5N60F/D/K 5A600V N 2SVF5N60F/D/K N MOS F-CellTM VDMOS 1133TO-252-2L 1.

 7.2. Size:458K  silan
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SVF5N60T

SVF5N60F/D/K 5A600V N 2SVF5N60F/D/K N MOS 1 1 F-CellTM VDMOS 3TO-252-2L3 1.

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History: 2SK1009 | 4N60A | KIA65R190 | TDM3424 | CS40N06 | 8N70

 

 
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History: 2SK1009 | 4N60A | KIA65R190 | TDM3424 | CS40N06 | 8N70

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