SVF5N60MJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF5N60MJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62.7 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.15 Ohm
Encapsulados: TO251
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SVF5N60MJ datasheet
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SVF5N60T/F/D/MJ_Datasheet 5A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF5N60T/F/D/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior
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SVF5N60T/F/D/MJ 5A 600V N 2 SVF5N60T/F/D/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 TO-252-2L 3
Otros transistores... 12N65KG-TQ , HY3306P , HY3306B , IRFS630B , MT3203 , SVF5N60T , SVF5N60F , SVF5N60D , 5N65 , TSP5N60M , TSF5N60M , AO6414 , MC6414 , CMP40P03 , CSD40N70 , FQPF20N60 , FQP20N60 .
History: RF4C100BC | BSC252N10NSF | 2SK2602 | SVD730T | EMF03N02HR | 15N12 | XP161A11A1PR-G
History: RF4C100BC | BSC252N10NSF | 2SK2602 | SVD730T | EMF03N02HR | 15N12 | XP161A11A1PR-G
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Liste
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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