TSP5N60M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TSP5N60M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TSP5N60M

TSP5N60M Datasheet (PDF)

..1. Size:656K 1
tsp5n60m tsf5n60m.pdf

TSP5N60M/TSF5N60M 600V N-Channel MOSFET Features 4.5A,600v,RDS(on)=2.2@VGS=10V Gate charge (Typical 17nC) High ruggedness Fast switching 100% AvalancheTested Improved dv/dt capability General Description This Power MOSFET is produced using Truesemis advanced planar stripe, DMOS technology.This latest technology has been especially designed t

..2. Size:1228K truesemi
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TSP5N60M/TSF5N60M600V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 4.5A,600V,Max.RDS(on)=2.50 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 16nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, an

8.1. Size:1115K truesemi
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TSP5N65M/TSF5N65M 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 4.5A,650V,Max.RDS(on)=3.0 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 16nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperform

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Liste

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