GPT18N50DGN220FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GPT18N50DGN220FP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 52 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 60 nC
Tiempo de subida (tr): 69.3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 275.2 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.27 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET GPT18N50DGN220FP
GPT18N50DGN220FP Datasheet (PDF)
gpt18n50g gpt18n50dg.pdf
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GPT18N50 / GPT18N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 2013/6/26 Rev1.6 Greatpower Microelectronic Corp. Page 4 GPT18N50 / GPT18N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR PACKAGE DIMENSION TO-220F 2013/6/26 Rev1.6 Greatpower Microelectronic Corp. Page 5 GPT18N50 / GPT18N50D
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History: AFN08N50T220FT