GPT18N50DGN220FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GPT18N50DGN220FP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 60 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 69.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 275.2 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET GPT18N50DGN220FP
GPT18N50DGN220FP Datasheet (PDF)
gpt18n50g gpt18n50dg.pdf
GPT18N50 / GPT18N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 2013/6/26 Rev1.6 Greatpower Microelectronic Corp. Page 4 GPT18N50 / GPT18N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR PACKAGE DIMENSION TO-220F 2013/6/26 Rev1.6 Greatpower Microelectronic Corp. Page 5 GPT18N50 / GPT18N50D
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Liste
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