JCS13N50FT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: JCS13N50FT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 37 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.46 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220MF

Búsqueda de reemplazo de MOSFET JCS13N50FT

JCS13N50FT Datasheet (PDF)

..1. Size:1016K 1
jcs13n50ft.pdf

N N- CHANNEL MOSFET RJCS13N50FT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.46 Qg-typ 37 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATUR

..2. Size:1016K jilin sino
jcs13n50ft.pdf

5.1. Size:1655K jilin sino
jcs13n50bc jcs13n50sc jcs13n50cc jcs13n50fc.pdf

N N- CHANNEL MOSFET RJCS13N50C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson@Vgs=10V 0.49 Qg 27 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATURES

8.1. Size:963K jilin sino
jcs13n90aba jcs13n90wa.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS13N90A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13.0 A VDSS 900 V RdsonVgs=10V 0.75 -MAX Qg-Typ 66.64 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power s

9.1. Size:1649K jilin sino
jcs13an50bc jcs13an50sc jcs13an50cc jcs13an50fc.pdf

N N- CHANNEL MOSFET RJCS13AN50C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson-max(@Vgs=10V) 0.45 Qg 32.1 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATURES

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Liste

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