JCS13N50FT Todos los transistores

 

JCS13N50FT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS13N50FT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.46 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220MF
 

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JCS13N50FT Datasheet (PDF)

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JCS13N50FT

N N- CHANNEL MOSFET RJCS13N50FT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.46 Qg-typ 37 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATUR

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JCS13N50FT

N N- CHANNEL MOSFET RJCS13N50FT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.46 Qg-typ 37 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATUR

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JCS13N50FT

N N- CHANNEL MOSFET RJCS13N50C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson@Vgs=10V 0.49 Qg 27 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATURES

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JCS13N50FT

N RN-CHANNEL MOSFET JCS13N90A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13.0 A VDSS 900 V RdsonVgs=10V 0.75 -MAX Qg-Typ 66.64 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power s

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History: WMM10N60C4 | IRF7483MTRPBF | KIA65R420

 

 
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