JCS13N50FT Todos los transistores

 

JCS13N50FT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS13N50FT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.46 Ohm

Encapsulados: TO220MF

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JCS13N50FT datasheet

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JCS13N50FT

N N- CHANNEL MOSFET R JCS13N50FT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson-max @Vgs=10V 0.46 Qg-typ 37 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATUR

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JCS13N50FT

N N- CHANNEL MOSFET R JCS13N50FT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson-max @Vgs=10V 0.46 Qg-typ 37 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATUR

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JCS13N50FT

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JCS13N50FT

N R N-CHANNEL MOSFET JCS13N90A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13.0 A VDSS 900 V Rdson Vgs=10V 0.75 -MAX Qg-Typ 66.64 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power s

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History: IRF7313QPBF | SUD08P06-155L | 2SK1235 | AP02N60J-H | SWB090R08ET | BS107AG | BRI65R380C

 

 

 

 

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