JCS13N50FT - аналоги и даташиты транзистора

 

JCS13N50FT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JCS13N50FT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm
   Тип корпуса: TO220MF

 Аналог (замена) для JCS13N50FT

 

JCS13N50FT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1016K  1
 jcs13n50ft.pdf pdf_icon

JCS13N50FT

N N- CHANNEL MOSFET R JCS13N50FT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson-max @Vgs=10V 0.46 Qg-typ 37 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATUR

 ..2. Size:1016K  jilin sino
 jcs13n50ft.pdf pdf_icon

JCS13N50FT

N N- CHANNEL MOSFET R JCS13N50FT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson-max @Vgs=10V 0.46 Qg-typ 37 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATUR

 5.1. Size:1655K  jilin sino
 jcs13n50bc jcs13n50sc jcs13n50cc jcs13n50fc.pdf pdf_icon

JCS13N50FT

 8.1. Size:963K  jilin sino
 jcs13n90aba jcs13n90wa.pdf pdf_icon

JCS13N50FT

N R N-CHANNEL MOSFET JCS13N90A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13.0 A VDSS 900 V Rdson Vgs=10V 0.75 -MAX Qg-Typ 66.64 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQP20N60 , FTD06N03NA , GPT18N50GN3P , GPT18N50GN247 , GPT18N50DGN220FP , HY1001P , HY3610P , ISA07N65A , 2SK3568 , JCS3205CH , JCS3205SH , KIA2906A-220 , KIA2906A-247 , KIA50N06 , NTD4963NG , PFP13N60 , PFF13N60 .

 

 
Back to Top

 


 
.