JCS13N50FT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS13N50FT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm

Тип корпуса: TO220MF

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JCS13N50FT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS13N50FT даташит

 ..1. Size:1016K  1
 jcs13n50ft.pdf pdf_icon

JCS13N50FT

N N- CHANNEL MOSFET R JCS13N50FT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson-max @Vgs=10V 0.46 Qg-typ 37 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATUR

 ..2. Size:1016K  jilin sino
 jcs13n50ft.pdf pdf_icon

JCS13N50FT

N N- CHANNEL MOSFET R JCS13N50FT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson-max @Vgs=10V 0.46 Qg-typ 37 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATUR

 5.1. Size:1655K  jilin sino
 jcs13n50bc jcs13n50sc jcs13n50cc jcs13n50fc.pdf pdf_icon

JCS13N50FT

 8.1. Size:963K  jilin sino
 jcs13n90aba jcs13n90wa.pdf pdf_icon

JCS13N50FT

N R N-CHANNEL MOSFET JCS13N90A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13.0 A VDSS 900 V Rdson Vgs=10V 0.75 -MAX Qg-Typ 66.64 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FQP20N60, FTD06N03NA, GPT18N50GN3P, GPT18N50GN247, GPT18N50DGN220FP, HY1001P, HY3610P, ISA07N65A, IRF1407, JCS3205CH, JCS3205SH, KIA2906A-220, KIA2906A-247, KIA50N06, NTD4963NG, PFP13N60, PFF13N60