KIA2906A-220 Todos los transistores

 

KIA2906A-220 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KIA2906A-220

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 83.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 926 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: TO220

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KIA2906A-220 datasheet

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KIA2906A-220

130A 60V 2906A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features R =5.5m @ V =10V DS(on) GS Lead free and green device available Low Rds-on to minimize conductive loss High avalanche current 2. Applications Power Supply UPS Power Tool 3.Symbol Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source 4 Drain 1 of 6 Rev 1.2 Jun. 2016 130A 60V

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KIA2906A-220

130A 60V 2906A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features R =5.5m @ V =10V DS(on) GS Lead free and green device available Low Rds-on to minimize conductive loss High avalanche current 2. Applications Power Supply UPS Power Tool 3.Symbol Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source 4 Drain 1 of 6 Rev 1.2 Jun. 2016 130A 60V

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KIA2906A-220

130A 100V 2910N N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Applications High efficiency synchronous rectification in SMPS High speed power switching 2. Features R =7.0m @V =10 V DS(on) GS Super high dense cell design Ultra lowOn-Resistance 100%avalanchetested Lead Free and Green devices available (RoHSCompliant) 3. Pinconfiguration

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KIA2906A-220

130A 100V 2910A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Applications High efficiency synchronous rectification in SMPS High speed power switching 2. Features R =7.0m @V =10 V DS(on) GS Super high dense cell design Ultra lowOn-Resistance 100%avalanchetested Lead Free and Green devices available (RoHSCompliant) 3. Pinconfiguration

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History: 3N40 | AP01L60T-H-HF | SWD076R68E7T | SUB75N06-08 | SWD4N60DA | SWD070R08E7T | 5N40

 

 

 

 

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