KIA2906A-220 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KIA2906A-220
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 83.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 926 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для KIA2906A-220
KIA2906A-220 Datasheet (PDF)
kia2906a.pdf

130A60V2906AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =5.5m@ V =10VDS(on) GS Lead free and green device available Low Rds-on to minimize conductive loss High avalanche current2. Applications Power Supply UPS Power Tool3.SymbolPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1 of 6 Rev 1.2 Jun. 2016130A60V
kia2906a.pdf

130A60V2906AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =5.5m@ V =10VDS(on) GS Lead free and green device available Low Rds-on to minimize conductive loss High avalanche current2. Applications Power Supply UPS Power Tool3.SymbolPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1 of 6 Rev 1.2 Jun. 2016130A60V
kia2910n.pdf

130A100V2910NN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Applications High efficiency synchronous rectification in SMPS High speed power switching2. Features R =7.0m @V =10 VDS(on) GSSuper high dense cell design Ultra lowOn-Resistance 100%avalanchetested Lead Free and Green devices available (RoHSCompliant)3. Pinconfiguration
kia2910a.pdf

130A100V2910AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Applications High efficiency synchronous rectification in SMPS High speed power switching2. Features R =7.0m @V =10 VDS(on) GSSuper high dense cell design Ultra lowOn-Resistance 100%avalanchetested Lead Free and Green devices available (RoHSCompliant)3. Pinconfiguration
Другие MOSFET... GPT18N50GN247 , GPT18N50DGN220FP , HY1001P , HY3610P , ISA07N65A , JCS13N50FT , JCS3205CH , JCS3205SH , IRF2807 , KIA2906A-247 , KIA50N06 , NTD4963NG , PFP13N60 , PFF13N60 , QM3054M6 , SVD730D , SVD730F .
History: VP0106 | PT4606 | RU30S4H | NTTFS3A08PZTAG | VS7N65AF | SSF65R260S2R | IPA60R360P7S
History: VP0106 | PT4606 | RU30S4H | NTTFS3A08PZTAG | VS7N65AF | SSF65R260S2R | IPA60R360P7S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor