KIA2906A-220. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KIA2906A-220
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 83.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 926 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для KIA2906A-220
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
KIA2906A-220 даташит
kia2906a.pdf
130A 60V 2906A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features R =5.5m @ V =10V DS(on) GS Lead free and green device available Low Rds-on to minimize conductive loss High avalanche current 2. Applications Power Supply UPS Power Tool 3.Symbol Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source 4 Drain 1 of 6 Rev 1.2 Jun. 2016 130A 60V
kia2906a.pdf
130A 60V 2906A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features R =5.5m @ V =10V DS(on) GS Lead free and green device available Low Rds-on to minimize conductive loss High avalanche current 2. Applications Power Supply UPS Power Tool 3.Symbol Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source 4 Drain 1 of 6 Rev 1.2 Jun. 2016 130A 60V
kia2910n.pdf
130A 100V 2910N N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Applications High efficiency synchronous rectification in SMPS High speed power switching 2. Features R =7.0m @V =10 V DS(on) GS Super high dense cell design Ultra lowOn-Resistance 100%avalanchetested Lead Free and Green devices available (RoHSCompliant) 3. Pinconfiguration
kia2910a.pdf
130A 100V 2910A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Applications High efficiency synchronous rectification in SMPS High speed power switching 2. Features R =7.0m @V =10 V DS(on) GS Super high dense cell design Ultra lowOn-Resistance 100%avalanchetested Lead Free and Green devices available (RoHSCompliant) 3. Pinconfiguration
Другие MOSFET... GPT18N50GN247 , GPT18N50DGN220FP , HY1001P , HY3610P , ISA07N65A , JCS13N50FT , JCS3205CH , JCS3205SH , RFP50N06 , KIA2906A-247 , KIA50N06 , NTD4963NG , PFP13N60 , PFF13N60 , QM3054M6 , SVD730D , SVD730F .
History: ET8205 | HX3400 | RU4N65P | AOWF12N50 | 2SK2760-01 | MMD65R900QRH | SVF10N65T
History: ET8205 | HX3400 | RU4N65P | AOWF12N50 | 2SK2760-01 | MMD65R900QRH | SVF10N65T
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor




