UT70N03G Todos los transistores

 

UT70N03G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UT70N03G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 53 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO251 TO252

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UT70N03G datasheet

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UT70N03G

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT70N03 Preliminary Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT70N03 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

Otros transistores... PFF13N60 , QM3054M6 , SVD730D , SVD730F , SVD730T , TP0202T , TP0610K , TTK2837 , AO3400A , DG4N65-TO251 , DG4N65-TO252 , DG4N65-TO220 , DG4N65-TO220F , DG4N65-TO262 , HY3403D , HY3403U , HY3403V .

History: XP162A12A6PR-G | RF1S40N10 | SUD50N10-34P | SUP75N06-08 | 2SK2607 | OSG60R074HZF

 

 

 

 

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