UT70N03G Todos los transistores

 

UT70N03G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UT70N03G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 53 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251 TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de UT70N03G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

UT70N03G Datasheet (PDF)

 7.1. Size:146K  utc
 ut70n03.pdf pdf_icon

UT70N03G

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT70N03 Preliminary Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT70N03 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

Otros transistores... PFF13N60 , QM3054M6 , SVD730D , SVD730F , SVD730T , TP0202T , TP0610K , TTK2837 , P60NF06 , DG4N65-TO251 , DG4N65-TO252 , DG4N65-TO220 , DG4N65-TO220F , DG4N65-TO262 , HY3403D , HY3403U , HY3403V .

History: 2SK3042 | AP4002T | 2N7002C1B | SVF10N65CA | 2SK163 | B630 | IRFIZ48VPBF

 

 
Back to Top

 


 
.