DG4N65-TO251 Todos los transistores

DG4N65-TO251 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DG4N65-TO251

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm

Encapsulados: TO251

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros