DG4N65-TO251 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DG4N65-TO251
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de DG4N65-TO251 MOSFET
DG4N65-TO251 Datasheet (PDF)
dg4n65.pdf

DG4N65V1.0N N-CHANNE ENHANCEMENT MODE MOSFET General Description DG4N65N
dg4n60.pdf

DG4N60V1.0N N-CHANNE ENHANCEMENT MODE MOSFET General Description DG4N60N
Otros transistores... QM3054M6 , SVD730D , SVD730F , SVD730T , TP0202T , TP0610K , TTK2837 , UT70N03G , IRF730 , DG4N65-TO252 , DG4N65-TO220 , DG4N65-TO220F , DG4N65-TO262 , HY3403D , HY3403U , HY3403V , HY3410P .
History: SRC65R180 | PMR670UPE | CED12N10 | TK32A12N1 | VS4618AH | VBFB165R07S | AM1331P
History: SRC65R180 | PMR670UPE | CED12N10 | TK32A12N1 | VS4618AH | VBFB165R07S | AM1331P



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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