S68N08R Todos los transistores

 

S68N08R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: S68N08R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 388 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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S68N08R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:536K  1
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S68N08R

SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD S68N08R/S N-Channel MOSFET Features 68V, 80A,Rds(on)(typ)=6.5m @Vgs=10V High Ruggedness Fast Switching 100% Avalanche Tested Improved dv/dt Capability General Description This Power MOSFET is produced using Si-Techs advanced Trench MOS Technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-st

 ..2. Size:2298K  cn si-tech
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S68N08R

S68N08R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=68V,ID=82A DC Motor Control Rds(on)(typ)=6.5m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD

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S68N08R

S68N08ZR/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=68V,ID=80A DC Motor Control Rds(on)(typ)=6.8m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD

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