R6004JND3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: R6004JND3 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.43 Ohm
Encapsulados: TO252
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R6004JND3 datasheet
r6004jnd3.pdf
R6004JND3 Datasheet Nch 600V 4A Power MOSFET lOutline l TO-252 VDSS 600V RDS(on)(Max.) 1.43 ID 4A PD 60W lFeatures l lInner circuit l 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPack
r6004jnd3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor R6004JND3 FEATURES Drain Current I =4A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.43 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpos
r6004jnx.pdf
R6004JNX Datasheet Nch 600V 4A Power MOSFET lOutline l TO-220FM VDSS 600V RDS(on)(Max.) 1.43 ID 4A PD 35W lFeatures l lInner circuit l 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPac
r6004jnj.pdf
R6004JNJ Datasheet Nch 600V 4A Power MOSFET lOutline l LPT(S) VDSS 600V RDS(on)(Max.) 1.43 ID 4A PD 60W lFeatures l lInner circuit l 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPacka
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
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