R6006JNJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R6006JNJ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 86 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.936 Ohm

Encapsulados: LPT

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R6006JNJ datasheet

 ..1. Size:2249K  1
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R6006JNJ

R6006JNJ Datasheet Nch 600V 6A Power MOSFET lOutline l LPT(S) VDSS 600V RDS(on)(Max.) 0.936 ID 6A PD 86W lFeatures l lInner circuit l 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPack

 ..2. Size:255K  inchange semiconductor
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R6006JNJ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6006JNJ FEATURES Drain Current I =6A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 936m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

 7.1. Size:1484K  1
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R6006JNJ

R6006JND3 Datasheet Nch 600V 6A Power MOSFET lOutline l TO-252 VDSS 600V RDS(on)(Max.) 0.936 ID 6A PD 86W lFeatures l lInner circuit l 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPac

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R6006JNJ

R6006JNX Datasheet Nch 600V 6A Power MOSFET lOutline l TO-220FM VDSS 600V RDS(on)(Max.) 0.936 ID 6A PD 43W lFeatures l lInner circuit l 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPa

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