R6006JNJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: R6006JNJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.936 Ohm

Тип корпуса: LPT

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для R6006JNJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6006JNJ даташит

 ..1. Size:2249K  1
 r6006jnj.pdf pdf_icon

R6006JNJ

R6006JNJ Datasheet Nch 600V 6A Power MOSFET lOutline l LPT(S) VDSS 600V RDS(on)(Max.) 0.936 ID 6A PD 86W lFeatures l lInner circuit l 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPack

 ..2. Size:255K  inchange semiconductor
 r6006jnj.pdf pdf_icon

R6006JNJ

isc N-Channel MOSFET Transistor R6006JNJ FEATURES Drain Current I =6A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 936m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

 7.1. Size:1484K  1
 r6006jnd3.pdf pdf_icon

R6006JNJ

R6006JND3 Datasheet Nch 600V 6A Power MOSFET lOutline l TO-252 VDSS 600V RDS(on)(Max.) 0.936 ID 6A PD 86W lFeatures l lInner circuit l 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPac

 7.2. Size:2207K  1
 r6006jnx.pdf pdf_icon

R6006JNJ

R6006JNX Datasheet Nch 600V 6A Power MOSFET lOutline l TO-220FM VDSS 600V RDS(on)(Max.) 0.936 ID 6A PD 43W lFeatures l lInner circuit l 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JCS650F, JCS650S, R6002END3, R6003KND3, R6004JND3, R6004JNJ, R6004JNX, R6006JND3, IRF9540N, R6006JNX, R6006KND3, R6006KNX, R6007JND3, R6007JNJ, R6007JNX, SSF7N60B, SSI7N60B