SSW7N60B Todos los transistores

 

SSW7N60B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSW7N60B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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SSW7N60B datasheet

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SSW7N60B

November 2001 SSW7N60B / SSI7N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 7.0A, 600V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 38 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 23 pF) This advanced technology has been especially tailored to

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SSW7N60B

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SSW7N60B

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 600 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 600V 2 Lower RDS(ON) 0.977 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Chara

Otros transistores... R6006JNX , R6006KND3 , R6006KNX , R6007JND3 , R6007JNJ , R6007JNX , SSF7N60B , SSI7N60B , SKD502T , STE40NA60 , STE36N50A , STE45NK80ZD , STE38NB50 , STE38NB50F , STE24NA100 , STE15NA100 , AO3409L .

History: STD3NK60ZT4 | SM7307DSKP | ISCNH342W | 2SK3575-Z | SM6012NSUC

 

 

 

 

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