STE40NA60 Todos los transistores

 

STE40NA60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STE40NA60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 460 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm

Encapsulados: ISOTOP

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STE40NA60 datasheet

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STE40NA60

STE40NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STE40NA60 600 V

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STE40NA60

STE40NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STE40NA60 600 V

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STE40NA60

STE40NC60 N-CHANNEL 600V - 0.098 - 40A ISOTOP PowerMesh II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STE40NC60 600V

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STE40NA60

STE40NK90ZD N-channel 900V - 0.14 - 40A ISOTOP Super FREDmesh MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw STE40NK90ZD 900V

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History: 2SK3892 | IRF623FI | SIHFP460A | AO4458 | SSH60N10A | 2SK3789-01R | AO4926

 

 

 

 

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