STE15NA100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STE15NA100
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.77 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOTOP
Búsqueda de reemplazo de STE15NA100 MOSFET
STE15NA100 Datasheet (PDF)
ste15na100.pdf
STE15NA100N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTE15NA100 1000 V
ste15na100.pdf
STE15NA100N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTE15NA100 1000 V
ste150n10.pdf
STE150N10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGETYPE V R IDSS DS(on) DSTE150N10 100 V
Otros transistores... SSI7N60B , SSW7N60B , STE40NA60 , STE36N50A , STE45NK80ZD , STE38NB50 , STE38NB50F , STE24NA100 , IRFB3607 , AO3409L , FTP23N10A , HY3003P , HY3003B , IPD70R900P7S , MDE1991RH , NCEP1520K , RJK6035DPP-E0 .
History: SUD08P06-155L-E3 | RU8590S | AP9987GJV | 2SK1013 | 2SK1320 | 2SK1307 | IRF8736TR
History: SUD08P06-155L-E3 | RU8590S | AP9987GJV | 2SK1013 | 2SK1320 | 2SK1307 | IRF8736TR
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM404AP1 | AGM404A | AGM403Q | AGM403DG | AGM403D1 | AGM403AP | AGM403A1-KU | AGM403A1 | AGM402Q | AGM402H | AGM402D | AGM402C1 | AGM402C | AGM402A1 | AGM402A | AGM4025Q
Popular searches
30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet | 2sb77 | ac128 transistor datasheet | c2878 transistor

