STE15NA100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STE15NA100
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.77 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOTOP
Búsqueda de reemplazo de STE15NA100 MOSFET
STE15NA100 Datasheet (PDF)
ste15na100.pdf

STE15NA100N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTE15NA100 1000 V
ste15na100.pdf

STE15NA100N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTE15NA100 1000 V
ste150n10.pdf

STE150N10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGETYPE V R IDSS DS(on) DSTE150N10 100 V
Otros transistores... SSI7N60B , SSW7N60B , STE40NA60 , STE36N50A , STE45NK80ZD , STE38NB50 , STE38NB50F , STE24NA100 , AON7506 , AO3409L , FTP23N10A , HY3003P , HY3003B , IPD70R900P7S , MDE1991RH , NCEP1520K , RJK6035DPP-E0 .
History: AOW66412 | CMI80N06 | RUH30150M | IRF830ALPBF | FDMS0302S | SSM2307G
History: AOW66412 | CMI80N06 | RUH30150M | IRF830ALPBF | FDMS0302S | SSM2307G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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