STK0160 Todos los transistores

 

STK0160 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STK0160

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9.4 Ohm

Encapsulados: MPT

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STK0160 datasheet

 ..1. Size:460K  1
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STK0160

STK0160 Semiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage BVDSS=600V(Min.) Low Crss Crss=4.3pF(Typ.) Low gate charge Qg=4.5nC(Typ.) Low RDS(on) RDS(on)=9.4 (Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK0160 STK0160 MPT Outline Dimensions unit mm 7.30 7.50 1.20 Max. 0

 9.1. Size:353K  auk
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STK0160

STK0170 Advanced N-Ch Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATION Features High voltage BVDSS=700V (Min.) Low gate charge Qg=4nC (Typ.) Low drain-source On resistance RDS(on)=12.5 (Max.) Low Crss Crss=2.5pF (Typ.) RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-92 STK0170 STK0170 TO-92 Marking Information ST

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History: WMJ36N65F2 | IRLS3036PBF | 2SK4066-DL-1E | IRLU3110ZPBF | HY3810PS | FTP23N10A

 

 

 

 

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