Справочник MOSFET. STK0160

 

STK0160 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STK0160
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9.4 Ohm
   Тип корпуса: MPT
 

 Аналог (замена) для STK0160

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STK0160 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:460K  1
 stk0160.pdf pdf_icon

STK0160

STK0160Semiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=600V(Min.) Low Crss : Crss=4.3pF(Typ.) Low gate charge : Qg=4.5nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=9.4(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK0160 STK0160 MPTOutline Dimensions unit : mm 7.30~7.50 1.20 Max. 0

 9.1. Size:353K  auk
 stk0170.pdf pdf_icon

STK0160

STK0170Advanced N-Ch Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATION Features High voltage: BVDSS=700V (Min.) Low gate charge: Qg=4nC (Typ.) Low drain-source On resistance: RDS(on)=12.5 (Max.) Low Crss: Crss=2.5pF (Typ.) RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-92 STK0170 STK0170 TO-92 Marking Information ST

Другие MOSFET... AO3409L , FTP23N10A , HY3003P , HY3003B , IPD70R900P7S , MDE1991RH , NCEP1520K , RJK6035DPP-E0 , P60NF06 , 23N50 , APT10M09LVFR , APT20M16LFLL , APT20M18LVFR , APT20M18LVR , APT20M20LFLL , APT30M30B2FLL , APT30M36B2FLL .

History: SSW4668 | 2N5670 | SDF044 | SI2301BDS-T1-GE3 | FDR840P

 

 
Back to Top

 


 
.