R6009JND3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: R6009JND3 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.585 Ohm
Encapsulados: TO-252
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R6009JND3 datasheet
r6009jnd3.pdf
R6009JND3 Datasheet Nch 600V 9A Power MOSFET lOutline l TO-252 VDSS 600V RDS(on)(Max.) 0.585 ID 9A PD 125W lFeatures l lInner circuit l 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPa
r6009jnd3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor R6009JND3 FEATURES Drain Current I =9A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 585m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpos
r6009jnx.pdf
R6009JNX Datasheet Nch 600V 9A Power MOSFET lOutline l TO-220FM VDSS 600V RDS(on)(Max.) 0.585 ID 9A PD 53W lFeatures l lInner circuit l 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPa
r6009jnj.pdf
R6009JNJ Datasheet Nch 600V 9A Power MOSFET lOutline l LPT(S) VDSS 600V RDS(on)(Max.) 0.585 ID 9A PD 125W lFeatures l lInner circuit l 1) Fast reverse recovery time (trr) 2) Low on-resistance 3) Fast switching speed 4) Drive circuits can be simple 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPac
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: IXFH12N90P
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