R6535ENZ1 Todos los transistores

 

R6535ENZ1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: R6535ENZ1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 379 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 110 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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R6535ENZ1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1700K  rohm
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R6535ENZ1

R6535ENZ1DatasheetNch 650V 35A Power MOSFETlOutlinel TO-247VDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.115ID 35APD 379W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Tu

 ..2. Size:303K  inchange semiconductor
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R6535ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6535ENZ1FEATURESDrain Current I = 35A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 115m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 6.1. Size:2458K  rohm
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R6535ENZDatasheetNch 650V 35A Power MOSFETlOutlinel TO-3PFVDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.115ID 35APD 102W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Tub

 6.2. Size:265K  inchange semiconductor
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R6535ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6535ENZFEATURESDrain Current I = 35A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 115m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

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History: WPMD3002 | SFG10R08BF

 

 
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