Справочник MOSFET. R6535ENZ1

 

R6535ENZ1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: R6535ENZ1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 379 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 35 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 110 nC

Время нарастания (tr): 85 ns

Выходная емкость (Cd): 2800 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.115 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для R6535ENZ1

 

 

R6535ENZ1 Datasheet (PDF)

0.1. r6535enz1.pdf Size:1700K _rohm

R6535ENZ1
R6535ENZ1

R6535ENZ1DatasheetNch 650V 35A Power MOSFETlOutlinel TO-247VDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.115ID 35APD 379W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Tu

0.2. r6535enz1.pdf Size:303K _inchange_semiconductor

R6535ENZ1
R6535ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6535ENZ1FEATURESDrain Current I = 35A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 115m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 6.1. r6535enz.pdf Size:2458K _rohm

R6535ENZ1
R6535ENZ1

R6535ENZDatasheetNch 650V 35A Power MOSFETlOutlinel TO-3PFVDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.115ID 35APD 102W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Tub

6.2. r6535enz.pdf Size:265K _inchange_semiconductor

R6535ENZ1
R6535ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6535ENZFEATURESDrain Current I = 35A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 115m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top