R8008ANJ Todos los transistores

 

R8008ANJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: R8008ANJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 195 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

 Búsqueda de reemplazo de R8008ANJ MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

R8008ANJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1750K  rohm
 r8008anj.pdf pdf_icon

R8008ANJ

R8008ANJDatasheetNch 800V 8A Power MOSFETlOutlinel TO-263SVDSS 800V SC-83RDS(on)(Max.) 1.03 LPT(S)ID 8APD 195W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteedto be 30V.4) Drive circuits can be simple.5) Parallel use is easy.6) Pb-

 ..2. Size:255K  inchange semiconductor
 r8008anj.pdf pdf_icon

R8008ANJ

isc N-Channel MOSFET Transistor R8008ANJFEATURESDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.03(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

 7.1. Size:1169K  rohm
 r8008anx.pdf pdf_icon

R8008ANJ

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R8008ANX Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1.21) Low on-resistance.1.32) Low input capacitance.0.83) High ESD. (1) Gate(2) Drain2.54 2.54 0.75 2.6(1) (2) (3)(3) Source ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage BulkType

 7.2. Size:252K  inchange semiconductor
 r8008anx.pdf pdf_icon

R8008ANJ

isc N-Channel MOSFET Transistor R8008ANXFEATURESDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.03(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... R6530KNZ , R6530KNZ1 , R6535ENZ , R6535ENZ1 , R6535KNZ , R6535KNZ1 , R8002ANJ , R8005ANJ , P0903BDG , RJ1G08CGN , RJ1G12BGN , R6020KNZ4 , DJR0417 , R6035KNZ , R6035KNZ1 , R6047MNZ1 , R6547ENZ1 .

 

 
Back to Top

 


 
.