Справочник MOSFET. R8008ANJ

 

R8008ANJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: R8008ANJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 195 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 38 nC

Время нарастания (tr): 35 ns

Выходная емкость (Cd): 500 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.03 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для R8008ANJ

 

 

R8008ANJ Datasheet (PDF)

0.1. r8008anj.pdf Size:1750K _rohm

R8008ANJ
R8008ANJ

R8008ANJDatasheetNch 800V 8A Power MOSFETlOutlinel TO-263SVDSS 800V SC-83RDS(on)(Max.) 1.03 LPT(S)ID 8APD 195W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance.2) Fast switching speed.3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteedto be 30V.4) Drive circuits can be simple.5) Parallel use is easy.6) Pb-

0.2. r8008anj.pdf Size:255K _inchange_semiconductor

R8008ANJ
R8008ANJ

isc N-Channel MOSFET Transistor R8008ANJFEATURESDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.03(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

 7.1. r8008anx.pdf Size:1169K _rohm

R8008ANJ
R8008ANJ

Data Sheet10V Drive Nch MOSFET R8008ANX Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.52.8Features1.21) Low on-resistance.1.32) Low input capacitance.0.83) High ESD. (1) Gate(2) Drain2.54 2.54 0.75 2.6(1) (2) (3)(3) Source ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage BulkType

7.2. r8008anx.pdf Size:252K _inchange_semiconductor

R8008ANJ
R8008ANJ

isc N-Channel MOSFET Transistor R8008ANXFEATURESDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.03(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top