R6576ENZ1 Todos los transistores

 

R6576ENZ1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: R6576ENZ1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 735 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 76 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 220 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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R6576ENZ1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2542K  rohm
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R6576ENZ1

R6576ENZ1DatasheetNch 650V 76A Power MOSFETlOutlinel TO-247VDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.046ID 76APD 735W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Tu

 ..2. Size:304K  inchange semiconductor
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R6576ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6576ENZ1FEATURESDrain Current I = 76A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 46m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 9.1. Size:2192K  rohm
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R6576ENZ1

R6576KNZ1DatasheetNch 650V 76A Power MOSFETlOutlinel TO-247VDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.046ID 76APD 735W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Pack

 9.2. Size:304K  inchange semiconductor
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R6576ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6576KNZ1FEATURESDrain Current I = 76A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 46m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

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History: IPP023N04NG

 

 
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