R6576ENZ1 - описание и поиск аналогов

 

R6576ENZ1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: R6576ENZ1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 735 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 260 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 220 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 6600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для R6576ENZ1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6576ENZ1 даташит

 ..1. Size:2542K  rohm
r6576enz1.pdfpdf_icon

R6576ENZ1

R6576ENZ1 Datasheet Nch 650V 76A Power MOSFET lOutline l TO-247 VDSS 650V RDS(on)(Max.) 0.046 ID 76A PD 735W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPackaging specifications l Switching Packing Tu

 ..2. Size:304K  inchange semiconductor
r6576enz1.pdfpdf_icon

R6576ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6576ENZ1 FEATURES Drain Current I = 76A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 46m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

 9.1. Size:2192K  rohm
r6576knz1.pdfpdf_icon

R6576ENZ1

R6576KNZ1 Datasheet Nch 650V 76A Power MOSFET lOutline l TO-247 VDSS 650V RDS(on)(Max.) 0.046 ID 76A PD 735W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on-resistance 2) Ultra fast switching speed 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPackaging specifications l Switching Pack

 9.2. Size:304K  inchange semiconductor
r6576knz1.pdfpdf_icon

R6576ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6576KNZ1 FEATURES Drain Current I = 76A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 46m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Другие MOSFET... RJ1G12BGN , R6020KNZ4 , DJR0417 , R6035KNZ , R6035KNZ1 , R6047MNZ1 , R6547ENZ1 , R6547KNZ1 , IRF2807 , R6576KNZ1 , RD3G400GN , RD3G500GN , RD3G600GN , RD3H045SP , RD3H080SP , RD3H160SP , RD3H200SN .

History: KQB12P20

 

 

 

 

↑ Back to Top
.