R6576ENZ1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: R6576ENZ1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 735 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 220 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 6600 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для R6576ENZ1
R6576ENZ1 Datasheet (PDF)
r6576enz1.pdf

R6576ENZ1DatasheetNch 650V 76A Power MOSFETlOutlinel TO-247VDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.046ID 76APD 735W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Tu
r6576enz1.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor R6576ENZ1FEATURESDrain Current I = 76A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 46m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp
r6576knz1.pdf

R6576KNZ1DatasheetNch 650V 76A Power MOSFETlOutlinel TO-247VDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.046ID 76APD 735W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Pack
r6576knz1.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor R6576KNZ1FEATURESDrain Current I = 76A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 46m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp
Другие MOSFET... RJ1G12BGN , R6020KNZ4 , DJR0417 , R6035KNZ , R6035KNZ1 , R6047MNZ1 , R6547ENZ1 , R6547KNZ1 , IRFB31N20D , R6576KNZ1 , RD3G400GN , RD3G500GN , RD3G600GN , RD3H045SP , RD3H080SP , RD3H160SP , RD3H200SN .
History: IRF7311TR | IRL3705ZSPBF | IRLZ34S | SSF6401 | HRP370N10K | SJMN099R65SW | SSP80R380S2
History: IRF7311TR | IRL3705ZSPBF | IRLZ34S | SSF6401 | HRP370N10K | SJMN099R65SW | SSP80R380S2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70