R6576ENZ1. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: R6576ENZ1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 735 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 260 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 220 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 6600 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для R6576ENZ1
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
R6576ENZ1 даташит
r6576enz1.pdf
R6576ENZ1 Datasheet Nch 650V 76A Power MOSFET lOutline l TO-247 VDSS 650V RDS(on)(Max.) 0.046 ID 76A PD 735W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPackaging specifications l Switching Packing Tu
r6576enz1.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor R6576ENZ1 FEATURES Drain Current I = 76A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 46m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp
r6576knz1.pdf
R6576KNZ1 Datasheet Nch 650V 76A Power MOSFET lOutline l TO-247 VDSS 650V RDS(on)(Max.) 0.046 ID 76A PD 735W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on-resistance 2) Ultra fast switching speed 3) Parallel use is easy 4) Pb-free plating ; RoHS compliant lApplication l lPackaging specifications l Switching Pack
r6576knz1.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor R6576KNZ1 FEATURES Drain Current I = 76A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 46m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp
Другие MOSFET... RJ1G12BGN , R6020KNZ4 , DJR0417 , R6035KNZ , R6035KNZ1 , R6047MNZ1 , R6547ENZ1 , R6547KNZ1 , IRF2807 , R6576KNZ1 , RD3G400GN , RD3G500GN , RD3G600GN , RD3H045SP , RD3H080SP , RD3H160SP , RD3H200SN .
History: KQB12P20
History: KQB12P20
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70


