Справочник MOSFET. R6576ENZ1

 

R6576ENZ1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: R6576ENZ1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 735 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 220 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для R6576ENZ1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

R6576ENZ1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2542K  rohm
r6576enz1.pdfpdf_icon

R6576ENZ1

R6576ENZ1DatasheetNch 650V 76A Power MOSFETlOutlinel TO-247VDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.046ID 76APD 735W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Packing Tu

 ..2. Size:304K  inchange semiconductor
r6576enz1.pdfpdf_icon

R6576ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6576ENZ1FEATURESDrain Current I = 76A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 46m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 9.1. Size:2192K  rohm
r6576knz1.pdfpdf_icon

R6576ENZ1

R6576KNZ1DatasheetNch 650V 76A Power MOSFETlOutlinel TO-247VDSS 650VRDS(on)(Max.) 0.046ID 76APD 735W lFeaturesllInner circuitl1) Low on-resistance2) Ultra fast switching speed3) Parallel use is easy4) Pb-free plating ; RoHS compliantlApplicationllPackaging specificationslSwitching Pack

 9.2. Size:304K  inchange semiconductor
r6576knz1.pdfpdf_icon

R6576ENZ1

isc N-Channel MOSFET Transistor R6576KNZ1FEATURESDrain Current I = 76A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 46m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... RJ1G12BGN , R6020KNZ4 , DJR0417 , R6035KNZ , R6035KNZ1 , R6047MNZ1 , R6547ENZ1 , R6547KNZ1 , IRFB31N20D , R6576KNZ1 , RD3G400GN , RD3G500GN , RD3G600GN , RD3H045SP , RD3H080SP , RD3H160SP , RD3H200SN .

History: IRF7311TR | IRL3705ZSPBF | IRLZ34S | SSF6401 | HRP370N10K | SJMN099R65SW | SSP80R380S2

 

 
Back to Top

 


 
.