RD3H200SN Todos los transistores

 

RD3H200SN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RD3H200SN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 45 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: TO-252

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RD3H200SN datasheet

 ..1. Size:1643K  rohm
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RD3H200SN

RD3H200SN Datasheet Nch 45V 20A Power MOSFET lOutline l VDSS 45V DPAK RDS(on)(Max.) 28m TO-252 ID 20A PD 20W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) Fast switching speed 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Emboss

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
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RD3H200SN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3H200SN FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 45V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 28m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

Otros transistores... R6576ENZ1 , R6576KNZ1 , RD3G400GN , RD3G500GN , RD3G600GN , RD3H045SP , RD3H080SP , RD3H160SP , IRFB31N20D , RD3L050SN , RD3L080SN , RD3L08CGN , RD3L140SP , RD3L150SN , RD3L220SN , RD3P050SN , RD3P100SN .

 

 

 

 

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