Справочник MOSFET. RD3H200SN

 

RD3H200SN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RD3H200SN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для RD3H200SN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD3H200SN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1643K  rohm
 rd3h200sn.pdf pdf_icon

RD3H200SN

RD3H200SNDatasheetNch 45V 20A Power MOSFETlOutlinelVDSS45V DPAKRDS(on)(Max.)28m TO-252ID20APD20W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmboss

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 rd3h200sn.pdf pdf_icon

RD3H200SN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3H200SNFEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 45V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 28m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Другие MOSFET... R6576ENZ1 , R6576KNZ1 , RD3G400GN , RD3G500GN , RD3G600GN , RD3H045SP , RD3H080SP , RD3H160SP , IRF730 , RD3L050SN , RD3L080SN , RD3L08CGN , RD3L140SP , RD3L150SN , RD3L220SN , RD3P050SN , RD3P100SN .

History: FDB86366-F085 | FDB0300N1007L | TK7P60W | SRN1860FD | IRF730PBF | SSF80R160S2 | NP75N04VUK

 

 
Back to Top

 


 
.