Справочник MOSFET. RD3H200SN

 

RD3H200SN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RD3H200SN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RD3H200SN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1643K  rohm
 rd3h200sn.pdf pdf_icon

RD3H200SN

RD3H200SNDatasheetNch 45V 20A Power MOSFETlOutlinelVDSS45V DPAKRDS(on)(Max.)28m TO-252ID20APD20W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmboss

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 rd3h200sn.pdf pdf_icon

RD3H200SN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3H200SNFEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 45V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 28m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK1626 | AP2306CGN-HF | TSM4944DCS | APTC90SKM60CT1G | PNMTO600V5 | AM90N20-78B | ELM33404CA

 

 
Back to Top

 


 
.