RD3H200SN - описание и поиск аналогов

 

RD3H200SN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RD3H200SN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для RD3H200SN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD3H200SN даташит

 ..1. Size:1643K  rohm
 rd3h200sn.pdf pdf_icon

RD3H200SN

RD3H200SN Datasheet Nch 45V 20A Power MOSFET lOutline l VDSS 45V DPAK RDS(on)(Max.) 28m TO-252 ID 20A PD 20W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) Fast switching speed 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Emboss

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 rd3h200sn.pdf pdf_icon

RD3H200SN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3H200SN FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 45V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 28m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

Другие MOSFET... R6576ENZ1 , R6576KNZ1 , RD3G400GN , RD3G500GN , RD3G600GN , RD3H045SP , RD3H080SP , RD3H160SP , IRFB31N20D , RD3L050SN , RD3L080SN , RD3L08CGN , RD3L140SP , RD3L150SN , RD3L220SN , RD3P050SN , RD3P100SN .

History: KP726B1 | 2SK2733

 

 

 

 

↑ Back to Top
.