Справочник MOSFET. RD3H200SN

 

RD3H200SN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RD3H200SN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 45 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
   Время нарастания (tr): 20 ns
   Выходная емкость (Cd): 250 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для RD3H200SN

 

 

RD3H200SN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1643K  rohm
 rd3h200sn.pdf

RD3H200SN RD3H200SN

RD3H200SNDatasheetNch 45V 20A Power MOSFETlOutlinelVDSS45V DPAKRDS(on)(Max.)28m TO-252ID20APD20W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmboss

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 rd3h200sn.pdf

RD3H200SN RD3H200SN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3H200SNFEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 45V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 28m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top