RD3L150SN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RD3L150SN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 20 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 18 nC
Tiempo de subida (tr): 30 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
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RD3L150SN Datasheet (PDF)
rd3l150sn.pdf
RD3L150SN DatasheetNch 60V 15A Power MOSFETlOutlinelVDSS60V DPAKRDS(on)(Max.)40m TO-252ID15APD20W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmbosse
rd3l150sn.pdf
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rd3l140sp.pdf
RD3L140SPDatasheetPch -60V -14A Power MOSFETlOutlinelVDSS-60V DPAKRDS(on)(Max.)84m TO-252ID14APD20W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmb
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isc P-Channel MOSFET Transistor RD3L140SPFEATURESDrain Current I = -14A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = -60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 84m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur
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