RD3L150SN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RD3L150SN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RD3L150SN

RD3L150SN Datasheet (PDF)

..1. Size:1617K rohm
rd3l150sn.pdf

RD3L150SN DatasheetNch 60V 15A Power MOSFETlOutlinelVDSS60V DPAKRDS(on)(Max.)40m TO-252ID15APD20W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmbosse

..2. Size:265K inchange semiconductor
rd3l150sn.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3L150SNFEATURESDrain Current I = 15A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 40m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo

9.1. Size:1593K rohm
rd3l140sp.pdf

RD3L140SPDatasheetPch -60V -14A Power MOSFETlOutlinelVDSS-60V DPAKRDS(on)(Max.)84m TO-252ID14APD20W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmb

9.2. Size:265K inchange semiconductor
rd3l140sp.pdf

isc P-Channel MOSFET Transistor RD3L140SPFEATURESDrain Current I = -14A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = -60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 84m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: