RD3P200SN Todos los transistores

 

RD3P200SN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RD3P200SN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm

Encapsulados: TO-252

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RD3P200SN datasheet

 ..1. Size:1628K  rohm
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RD3P200SN

RD3P200SN Datasheet Nch 100V 20A Power MOSFET lOutline l VDSS 100V DPAK RDS(on)(Max.) 46m TO-252 ID 20A PD 20W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) Fast switching speed 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Embo

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
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RD3P200SN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3P200SN FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 46m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

 0.1. Size:1585K  rohm
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RD3P200SN

RD3P200SNFRA Datasheet Nch 100V 20A Power MOSFET lOutline l VDSS 100V DPAK RDS(on)(Max.) 46m TO-252 ID 20A PD 20W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) Fast switching speed 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 6) AEC-Q101 Qualified lPackagi

Otros transistores... RD3L08CGN , RD3L140SP , RD3L150SN , RD3L220SN , RD3P050SN , RD3P100SN , RD3P130SP , RD3P175SN , K2611 , RD3S075CN , RD3S100CN , RD3T050CN , RD3T075CN , RD3T100CN , RD3U040CN , RD3U060CN , RD3U080CN .

 

 

 

 

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