RD3U080CN Todos los transistores

 

RD3U080CN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RD3U080CN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de RD3U080CN MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RD3U080CN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1498K  rohm
 rd3u080cn.pdf pdf_icon

RD3U080CN

RD3U080CNDatasheetNch 250V 8A Power MOSFETlOutlinelVDSS 250V DPAKRDS(on)(Max.) 300m TO-252ID 8APD 85W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance2) Fast switching3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmbossed PackingTa

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 rd3u080cn.pdf pdf_icon

RD3U080CN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3U080CNFEATURESDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 300m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

 9.1. Size:1490K  rohm
 rd3u040cn.pdf pdf_icon

RD3U080CN

RD3U040CNDatasheetNch 250V 4A Power MOSFETlOutlinelVDSS 250V DPAKRDS(on)(Max.) 1300m TO-252ID 4APD 29W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmbossed Pack

 9.2. Size:1502K  rohm
 rd3u060cn.pdf pdf_icon

RD3U080CN

RD3U060CNDatasheetNch 250V 6A Power MOSFETlOutlinelVDSS 250V DPAKRDS(on)(Max.) 530m TO-252ID 6APD 52W lInner circuitllFeaturesl1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Drive circuits can be simple4) Parallel use is easy5) Pb-free plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmbossed Packi

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... RD3P200SN , RD3S075CN , RD3S100CN , RD3T050CN , RD3T075CN , RD3T100CN , RD3U040CN , RD3U060CN , IRFP064N , FHP12N60 , FL6L52010L , MDU2653 , NCE7580 , AP040N03G , AP045N03M , AP050N03Q , AP0903Q .

History: CS12N65FF | SML8028JVR

 

 
Back to Top

 


 
.