RD3U080CN Todos los transistores

 

RD3U080CN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RD3U080CN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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RD3U080CN datasheet

 ..1. Size:1498K  rohm
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RD3U080CN

RD3U080CN Datasheet Nch 250V 8A Power MOSFET lOutline l VDSS 250V DPAK RDS(on)(Max.) 300m TO-252 ID 8A PD 85W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on-resistance 2) Fast switching 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Embossed Packing Ta

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
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RD3U080CN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3U080CN FEATURES Drain Current I = 8A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 250V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 300m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

 9.1. Size:1490K  rohm
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RD3U080CN

RD3U040CN Datasheet Nch 250V 4A Power MOSFET lOutline l VDSS 250V DPAK RDS(on)(Max.) 1300m TO-252 ID 4A PD 29W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Embossed Pack

 9.2. Size:1502K  rohm
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RD3U080CN

RD3U060CN Datasheet Nch 250V 6A Power MOSFET lOutline l VDSS 250V DPAK RDS(on)(Max.) 530m TO-252 ID 6A PD 52W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Embossed Packi

Otros transistores... RD3P200SN , RD3S075CN , RD3S100CN , RD3T050CN , RD3T075CN , RD3T100CN , RD3U040CN , RD3U060CN , AO4468 , FHP12N60 , FL6L52010L , MDU2653 , NCE7580 , AP040N03G , AP045N03M , AP050N03Q , AP0903Q .

History: CMT04N60XN252

 

 
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