RD3U080CN - описание и поиск аналогов

 

Аналоги RD3U080CN. Основные параметры


   Наименование производителя: RD3U080CN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для RD3U080CN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD3U080CN даташит

 ..1. Size:1498K  rohm
rd3u080cn.pdfpdf_icon

RD3U080CN

RD3U080CN Datasheet Nch 250V 8A Power MOSFET lOutline l VDSS 250V DPAK RDS(on)(Max.) 300m TO-252 ID 8A PD 85W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on-resistance 2) Fast switching 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Embossed Packing Ta

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
rd3u080cn.pdfpdf_icon

RD3U080CN

isc N-Channel MOSFET Transistor RD3U080CN FEATURES Drain Current I = 8A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 250V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 300m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

 9.1. Size:1490K  rohm
rd3u040cn.pdfpdf_icon

RD3U080CN

RD3U040CN Datasheet Nch 250V 4A Power MOSFET lOutline l VDSS 250V DPAK RDS(on)(Max.) 1300m TO-252 ID 4A PD 29W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Embossed Pack

 9.2. Size:1502K  rohm
rd3u060cn.pdfpdf_icon

RD3U080CN

RD3U060CN Datasheet Nch 250V 6A Power MOSFET lOutline l VDSS 250V DPAK RDS(on)(Max.) 530m TO-252 ID 6A PD 52W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Drive circuits can be simple 4) Parallel use is easy 5) Pb-free plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Embossed Packi

Другие MOSFET... RD3P200SN , RD3S075CN , RD3S100CN , RD3T050CN , RD3T075CN , RD3T100CN , RD3U040CN , RD3U060CN , AO4468 , FHP12N60 , FL6L52010L , MDU2653 , NCE7580 , AP040N03G , AP045N03M , AP050N03Q , AP0903Q .

History: BF960S | AGM065N10C

 

 
Back to Top

 


 
.