AP050N03Q Todos los transistores

 

AP050N03Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP050N03Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2660 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3
 

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AP050N03Q Datasheet (PDF)

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AP050N03Q

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AP050N03Q

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AP050N03Q

AP0504GMT-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 5.5m Low On-resistance ID 75AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDescriptionDAP0504 series are from Advanced Power inno

 9.2. Size:94K  ape
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AP050N03Q

AP0504GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 5.5m Low On-resistance ID 75AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switchin

Otros transistores... RD3U060CN , RD3U080CN , FHP12N60 , FL6L52010L , MDU2653 , NCE7580 , AP040N03G , AP045N03M , IRF540 , AP0903Q , AP10N10K , AP120N03K , AP15N10 , AP15P03Q , AP2045K , AP2080K , AP2300 .

History: IRL2910SPBF | SIZ320DT | IPI320N20N3 | NTTFS1D2N02P1E | NDT6N65P | SFL044J | STB40NS15

 

 
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