AP4606CS Todos los transistores

 

AP4606CS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP4606CS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: SOP8

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AP4606CS datasheet

 ..1. Size:3180K  allpower
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AP4606CS

AP4606CS / Descriptions SOP-8 MOS Complementary Enhancement MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features N-channel P-channel VDS(V)=30V VDS(V)=-30V ID=6.9A ID=-6A RDS(ON)

 7.1. Size:1459K  allpower
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AP4606CS

 7.2. Size:1959K  cn apm
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AP4606CS

AP4606C 20V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP4606C uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =6.5A DS D R

 8.1. Size:200K  ape
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AP4606CS

AP4606P Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V Ultra-low On-resistance RDS(ON) 3.7m Fast Switching Characteristic ID3 125A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP4606 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowes

Otros transistores... AP30P30Q , AP3400 , AP3400S , AP3401 , AP3407 , AP3407S , AP4435 , AP4438 , IRF9540N , AP4616 , AP4953 , AP55N03 , AP8205 , AP8205A , AP83T03K , AP8810 , AP9926 .

 

 

 


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