AP8205A Todos los transistores

 

AP8205A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP8205A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
 

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AP8205A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1327K  allpower
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AP8205A

 0.1. Size:1271K  cn apm
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AP8205A

AP8205A-21 20V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8205A-21 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V =20V I =6.5A DS DR

 8.1. Size:2085K  allpower
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AP8205A

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AP8205A

AP8205S 20V N+N Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8205S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge DS(ON)and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features VDS = 20V, ID = 6A RDS(ON)

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History: ATM2601PSG | AP9926 | NTD40N03R-1G | BRCS120N10SZC | P0550BT | NTMD5836NLR2G

 

 
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