AP9926 Todos los transistores

 

AP9926 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9926
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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AP9926 Datasheet (PDF)

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AP9926

AP9926GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power Dual N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20VD2D2D1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 30mD1 Surface Mount Package ID 6AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S1SO-8DescriptionD2D1AP9926 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process te

 0.2. Size:80K  ape
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AP9926GOPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETG2Low on-resistance BVDSS 20V S2S2D2Capable of 2.5V gate drive RDS(ON) 28m G1S1Low drive current S1 ID 4.6A TSSOP-8D1Surface mount package DescriptionD2The Advanced Power MOSFETs fr

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AP9926

AP9926GEO-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETG2 Low On-resistance BVDSS 20VS2S2D2 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 28mG1S1 Low Drive Current S1 ID 4.6ATSSOP-8D1 Surface Mount Package RoHS Compliant & Halogen-FreeDescriptionD1 D2Advanced Power MOSFETs from APEC provide theG1

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History: MTP1406L3 | HM2319 | PMZB290UNE | AP65WN2K3H | TPCL4202 | LSD60R380HT | VSE005N03MS

 

 
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