ATM2302BNSA Todos los transistores

 

ATM2302BNSA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ATM2302BNSA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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ATM2302BNSA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:510K  agertech
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ATM2302BNSA

ATM2302BNSAN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorDrain-Source Voltage: 20V Drain Current: 3AFeatures Trench Power LV MOSFET technology High power and current handing capabilityR

 7.1. Size:607K  agertech
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ATM2302BNSA

ATM2302NSAN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorDrain-Source Voltage: 20V Drain Current: 3.3AFeatures Trench FET Power MOSFET Excellent R and Low Gate ChargeDS(on)R

 8.1. Size:759K  agertech
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ATM2302BNSA

ATM2305PSA P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage: -15V Drain Current: -5.6A Features Trench FET Power MOSFET Excellent RDS(on) and Low Gate Charge RDS(ON)( at VGS=-4.5V)36.4 mohm RDS(ON)( at VGS=-2.5V)53.0 mohm RDS(ON)( at VGS=-1.8V)62.0 mohm Applications Battery protection Load switch Power manag

 8.2. Size:497K  agertech
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ATM2302BNSA

ATM2301PSCP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorDrain-Source Voltage: -20V Drain Current: -3AFeatures Trench FET Power MOSFET Excellent R and Low Gate ChargeDS(on)R

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History: BRCS120P012ZJ | NTD40N03RG | BRCS120P03ZC | R6576KNZ1 | DJR0417 | R6047MNZ1 | 2SK945

 

 
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